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硅稳压管工作在击穿区时，其伏安特性是（ ）。

稳压二极管正常工作时，其工作点在伏安特性曲线的反向击穿区内。(　　)

稳压二极管正常工作时，其工作点在伏安特性曲线的反方向击穿去内。(　　)

稳压二极管是利用其伏安特性的（ ）特性进行稳压的。

稳压晶体二极管反向伏安特性曲线越陡，则动态电阻越大，稳压性能越好。（）