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在Ⅲ类污秽区测得220kV绝缘子等值附盐密度为0.1～0.25mg／cm2，要求其泄漏比距为（）。

污秽区分界处的等值盐密。很轻污秽区（原清洁区）与轻污秽区（Ⅰ区）、轻污秽区与中等污秽区（Ⅱ区）、中等污秽区与重污秽区（Ⅲ区）、重污秽区与很重污秽区（Ⅳ区）分界处的等值盐密分别为0.03mg/cm2、0

触网绝缘部件的泄漏距离，一般地区（附盐密度＜0.1mg/cm2下同）：不少于(1)；污秽地区（附盐密度≥0.1mg/cm2下同）：不少于(2)。实行V形天窗的双线区段，上下行间分段绝缘子串的泄露距离，

在污秽地区绝缘子泄漏比距最低要求为：不低于3.8cm／kV。

DXF—(1.6)Ⅱ分段绝缘器爬距＞( )mm，耐污能力强，在0.4mg/cm2(等值附盐密度)及0.2 mg/cm2(灰份)的情况下，污耐电压超过( )kV，适用于重污区。