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同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。

54.探头晶片尺寸增加，近场区长度增加.对探伤不利。（ ）[211030102]

斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（ ）。

探头晶片面积相同，高频率探头的声束扩散角要比低频率探头的声束扩散角大。

探头频率与晶片厚度有关,晶片越薄 ( )