A保护装置的箱体,必须经试验确证可靠接地。
B所有隔离变压器(电压
C外部引入至集成电路型或微机型保护装置的空接点,进入保护后应经光电隔离。
D半导体型
保护装置本体抗干扰要求()。
保护装置本体抗干扰要求正确的有()。
为提高继电保护装置的抗干扰能力,下列采取的措施描述正确的是( )
保护装置不应要求其交、直流输入回路外接抗干扰元件来满足有关电磁兼容标准的要求。
保护装置不应要求其交、直流输入回路外接抗干扰元件来满足有关电磁兼容标准的要求。( )
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