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可产生抑制性突触后电位的离子基础是

抑制性突触后电位产生的离子机制是

下列离子的通透性增加会产生抑制性突触后电位，正确的是

膜主要对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位 （　　）

抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种的离子通透性增加所致