IGBT导通时，由P+注入区向N基区发射少数载流子，从而对漂移区（）进行调制，使IGBT具有很强的通流能力。A、电导率-易过题库-题库最全的搜题网站

IGBT导通时，由P+注入区向N基区发射少数载流子，从而对漂移区（）进行调制，使IGBT具有很强的通流能力。

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