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抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种的离子通透性增加所致

抑制性突触后电位的产生是由于后膜对下列哪种离子的通透性增加所致

抑制性突触后电位的形成，是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致（ ）

下列离子的通透性增加会产生抑制性突触后电位，正确的是

兴奋性突触后电位的形成，是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致