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漂移运动是少数载流子运动而形成的。 (　　)

在NP结处发生多数载流子扩散运行，少数载流子漂移运动，结果形成了空间电荷区。

PN结是多数载流子的（ ）运动而形成的。

处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 (　　)

IGBT导通时，由P+注入区向N基区发射少数载流子，从而对漂移区（ ）进行调制，使IGBT具有很强的通流能力。