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存储器的存储周期Tm是指

主存储器的性能指标主要是( )、存取时间、存储周期和存储器带宽。

若存储周期250ns ，每次读出16位，则该存储器的数据传送率为( )。

已知单个存储体的存储周期为110ns，总线传输周期为10ns，则当采用低位交叉编址的多模块存储器时，存储体数应()。

一个四体并行的低位交叉编址存储器，每个存储体的存取周期为200ns，总线传输周期为50ns，则连续读取10个存储字需时()。